چکیده: در این رساله نانو کامپوزیت‌های (x -100) (BTO)-(x)(CFO)، (x -100) (BTO)- (x) (MFO) و (x -100) (BTO) -(x) (NFO) (10،20،30،40،50 x=) با روش سل-ژل تهیه شدند و ویژگی‌های ساختاری، ریختاری، اپتیکی، مغناطیسی و دی‌الکتریکی آن‌ها بررسی شد. با توجه به الگوهای پراش پرتو ایکس، همه نانو کامپوزیت‌ها دارای فاز چهارگوشی برای BTO و فاز اسپینل برای فریت هستند. طیف‌های FTIR نیز تشکیل فاز BTO و فاز فریت را تأیید کرد. مطابق با تصاویر FESEM، با افزایش فریت در نانو کامپوزیت‌ها، ذرات تجمع یافته‌تر شده و شکل نامنظم‌تری دارند. حلقه‌های پسماند (M-H) اندازه‌گیری شده در دمای اتاق نشان‌دهنده افزایش مغناطش اشباع با افزایش مقدار فریت است. وابستگی گاف انرژی به مقدار فریت نیز مورد مطالعه قرار گرفت. گاف انرژی نانو کامپوزیت‌ها در محدوده eV 66/1 تا eV 71/2 به دست آمد. به‌طورکلی با افزایش فریت در نانو کامپوزیت‌ها، ثابت دی‌الکتریک کاهش می‌یابد و اتلاف دی‌الکتریک افزایش می‌یابد. همچنین بررسی نمودارهای نایکوئیست نشان داد که با افزایش فاز فریت در کامپوزیت‌ها، مقاومت الکتریکی افزایش می یابد. در بخش بعدی رساله نانو کامپوزیت‌های CMFO-BTO، NCFO-BTO و NMFO-BaTiO3 با روش سل-ژل تهیه شدند و ویژگی‌های ساختاری، ریختاری، اپتیکی، مغناطیسی و دی‌الکتریکی آن‌ها بررسی شد. الگوهای پراش پرتو ایکس مانند قبل نشان‌دهنده دارای فاز چهارگوشی برای BTO و فاز اسپینل برای فریت هستند که در تأیید با نتایج طیف FTIR نیز است. تصاویر FESEM ذرات با اشکال چند ضلعی، به هم چسبیده و ناهمگن را نشان داد. گاف انرژی این نانو کامپوزیت‌ها در محدوده eV 45/1 تا eV 82/1 محاسبه شد. نتایج حلقه پسماند نمونه‌ها نشان داد که حلقه‌ی پسماند کامپوزیت NMFO-BTO باریک است که نشان‌دهنده رفتار مغناطیسی نرم است. همچنین بیشترین مغناطش اشباع و مغناطش باقیمانده مربوط به نمونه CMFO-BTO است. اندازه‌گیری‌های دی‌الکتریکی نشان داد که بیشترین ثابت دی‌الکتریک و کمترین اتلاف مربوط به نمونه CMFO-BTO است. با توجه به نمودار نایکوئیست بیشترین مقاومت مربوط به نمونه NMFO-BTO است.